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SQD40052EL_GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:30A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET封装，热阻低。 100%进行Rg和UIS测试。 AEC-Q101合格。 材料分类：如需了解合规定义，请参阅相关文档
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD40052EL_GE3
- 商品编号
- C3281481
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 62W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 750pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249 - 2 - 21 定义的无卤素要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100%进行 Rq 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- DC/DC 转换器
- N 沟道 MOSFET
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