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HUFA76409D3ST
N沟道,电流:17A,耐压:60V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUFA76409D3ST
- 商品编号
- C3281483
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 71mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 49W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 485pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
功率MOSFET技术是威世（Vishay）先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。这种最新“最先进”设计的高效几何结构和独特工艺实现了：极低的导通电阻与高跨导相结合；卓越的反向能量和二极管恢复dV/dt能力。 功率MOSFET晶体管还具备MOSFET所有公认的优势，如电压控制、极快的开关速度、易于并联以及电气参数的温度稳定性。 表面贴装封装通过减少杂散电感和电容来提升电路性能。DPAK（TO - 252）表面贴装封装将功率MOSFET的优势引入到需要印刷电路板表面贴装的大批量应用中。它们非常适合散热要求有限的应用，如计算机及周边设备、电信设备、直流 - 直流转换器以及广泛的消费产品。
商品特性
~~- 低驱动电流-表面贴装-快速开关-易于并联-出色的温度稳定性
应用领域
- 计算机及周边设备-电信设备-直流-直流转换器-消费产品