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SIHFR9014-GE3

1个P沟道耐压:60V 电流:5.1A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHFR9014-GE3
商品编号: C3281467
商品封装: TO-252AA
包装方式: 编带
商品毛重: 0.437克(g)

商品参数

商品概述

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术实现了单位硅面积尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，且二极管的反向恢复时间和存储电荷极低。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-表面贴装(IRFR9014、SiHFR9014)-直引脚(IRFU9014、SiHFU9014)-P沟道-快速开关

应用领域

开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关-便携式和电池供电产品的电源管理

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	5.1A
	导通电阻(RDS(on))	500mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	2.5W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	12nC@10V
	输入电容(Ciss)	270pF
	反向传输电容(Crss)	31pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	170pF