SUD19N20-90-BE3
N沟道,电流:19A,耐压:200V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUD19N20-90-BE3
- 商品编号
- C3281468
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟道型功率MOSFET
- 结温175 °C
- 脉宽调制(PWM)优化
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-初级侧开关-N沟道MOSFET
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