FDD10AN06A0Q
1个N沟道 耐压:60V 电流:11A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD10AN06A0Q
- 商品编号
- C3281477
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 135W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.84nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- RDS(on) = 9.4 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 50 A
- QG(tot) = 28 nC(典型值)@ VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具备UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
应用领域
-消费类应用-LED电视-同步整流