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SQD40061EL_GE3
1个P沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 描述
- 特性：具有低热阻的TrenchFET功率MOSFET封装。100%进行Rg和UIS测试。通过AEC-Q101认证
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD40061EL_GE3
- 商品编号
- C3281460
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.593333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 280nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1nF |
优惠活动
购买数量
(2000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2000个/圆盘
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