SIHFR220-GE3
1个N沟道 耐压:200V 电流:4.8A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHFR220-GE3
- 商品编号
- C3281451
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品特性
- 国际标准封装
- 低栅极电荷（QG）
- 雪崩额定值
- 低封装电感
- 快速本征整流器
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- 直流-直流转换器
- 开关模式和谐振模式电源
- 交流和直流电机驱动器
- 激光器、火花点火器、射频发生器中的放电电路
- 高压脉冲功率应用
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