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IXTY14N60X2
1个N沟道 耐压:600V 电流:14A
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- 描述
- 特性：国际标准封装。 低RDS(ON)和QG。 雪崩额定。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用：开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTY14N60X2
- 商品编号
- C3281459
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻（R_DS(ON)）和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 10.7 mΩ
- 50 A、30 V。栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 8.0 mΩ
- 低栅极电荷（典型值为17 nC）
- 快速开关
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
应用领域
- DC/DC转换器
- 电机驱动器
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