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IRFR010PBF-BE3

N沟道 MOSFET,电流:8.2A,耐压:50V

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRFR010PBF-BE3
商品编号: C3281455
商品封装: TO-252AA
包装方式: 管装
商品毛重: 0.627克(g)

商品参数

商品概述

功率MOSFET技术是威世(Vishay)先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。这种最新“最先进”设计的高效几何结构和独特工艺实现了:极低的导通电阻与高跨导相结合;卓越的反向能量和二极管恢复dV/dt能力。功率MOSFET晶体管还具备MOSFET所有公认的优势,如电压控制、极快的开关速度、易于并联以及电气参数的温度稳定性。表面贴装封装通过减少杂散电感和电容来提升电路性能。DPAK(TO - 252)表面贴装封装将功率MOSFET的优势引入到需要印刷电路板表面贴装的大批量应用中。它们非常适合散热要求有限的应用,如计算机及周边设备、电信设备、直流 - 直流转换器以及广泛的消费产品。

商品特性

-低驱动电流-表面贴装-快速开关-易于并联-出色的温度稳定性

应用领域

-计算机及周边设备-电信设备-直流-直流转换器-消费产品

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	50V
	连续漏极电流(Id)	8.2A
	导通电阻(RDS(on))	200mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	25W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	10nC@10V
	输入电容(Ciss)	250pF
	反向传输电容(Crss)	29pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	150pF