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IRFR010PBF-BE3

N沟道 MOSFET,电流:8.2A,耐压:50V

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRFR010PBF-BE3
商品编号: C3281455
商品封装: TO-252AA
包装方式: 管装
商品毛重: 0.627克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU/SiHFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。

商品特性

~~- 先进的工艺技术-全雪崩额定-表面贴装(IRFR9310、SiHFR9310)-直引脚(IRFU9310、SiHFU9310)-P沟道-快速开关-符合RoHS标准-无卤

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	50V
	连续漏极电流(Id)	8.2A
	导通电阻(RDS(on))	200mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	25W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	10nC@10V
	输入电容(Ciss)	250pF
	反向传输电容(Crss)	29pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	150pF