FQH90N10V2
105A, 100V, N沟道MOSFET
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQH90N10V2
- 商品编号
- C3281149
- 商品封装
- TO-247AD
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 105A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 330W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 191nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.53nF |
商品概述
HEXFET技术是先进功率MOSFET晶体管系列的关键。这种最新“前沿技术”设计的高效几何结构和独特工艺实现了：极低的导通电阻与高跨导相结合；卓越的反向能量和二极管恢复dv/dt能力。 HEXFET晶体管还具备MOSFET所有公认的优势，如电压控制、极快的开关速度、易于并联以及电气参数的温度稳定性。
商品特性
- 105A、100V,VGS = 10V时,RDS(on) = 10mΩ
- 低栅极电荷(典型值147nC)
- 低反向传输电容(Crss,典型值300pF)
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 最高结温额定值为175°C
应用领域
- 开关电源
- 电机控制
- 逆变器
- 斩波器
- 音频放大器
- 高能脉冲电路