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FDD1600N10ALZD实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDD1600N10ALZD

N沟道 MOSFET,电流:6.8A,耐压:100V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDD1600N10ALZD
商品编号
C3281431
商品封装
TO-252-4​
包装方式
编带
商品毛重
0.436克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)6.8A
导通电阻(RDS(on))375mΩ@5V
耗散功率(Pd)14.9W
阈值电压(Vgs(th))2.8V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)3.61nC@10V
输入电容(Ciss)225pF
反向传输电容(Crss)2.04pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)55pF

商品特性

  • RDS(on) = 124 m Ω(典型值),条件为VGS = 10 V,ID = 3.4 A
  • RDS(on) = 175 m Ω(典型值),条件为VGS = 5.0 V,ID = 2.1 A
  • 低栅极电荷(典型值2.78 nC)
  • 低C\text rss(典型值2.04 pF)
  • 快速开关
  • 100%雪崩测试
  • 改善的dv/dt能力
  • 符合RoHS标准

应用领域

-LED显示器背光源-LED电视背光源-LED照明-消费电器、DC-DC转换器(升压和降压)

数据手册PDF