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IXTY08N100P-TRL实物图
  • IXTY08N100P-TRL商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTY08N100P-TRL

1个N沟道 耐压:1kV 电流:800mA

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品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXTY08N100P-TRL
商品编号
C3281446
商品封装
TO-252AA​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)800mA
导通电阻(RDS(on))20Ω@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)42W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)11.3nC@10V
输入电容(Ciss)240pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可实现单位硅面积尽可能低的导通电阻,从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量,且二极管的反向恢复时间和存储电荷极低。它专为对功率效率要求较高的应用而设计,如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关,以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 低栅极电荷(QG)
  • 雪崩额定
  • 低封装电感
  • 快速本征整流器
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • DC-DC 转换器
  • 开关模式和谐振模式电源
  • 交流和直流电机驱动器
  • 激光驱动器
  • 机器人和伺服控制

数据手册PDF