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FDD20AN06A0-F085实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDD20AN06A0-F085

N沟道,电流:45A,耐压:60V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDD20AN06A0-F085
商品编号
C3281449
商品封装
TO-252AA​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V
耗散功率(Pd)90W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)19nC@10V
输入电容(Ciss)950pF
反向传输电容(Crss)60pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)185pF

商品特性

  • 导通电阻 rDS(ON) = 17 mΩ(典型值),栅源电压 VGS = 10 V,漏极电流 ID = 45 A
  • 总栅极电荷 Qg(tot) = 15 nC(典型值),栅源电压 VGS = 10 V
  • 低米勒电荷
  • 低反向恢复电荷 QRR 体二极管
  • 具有单脉冲和重复脉冲的非钳位感性开关(UIS)能力
  • 符合 AEC Q101 标准
  • 符合 RoHS 标准

应用领域

  • 电机/车身负载控制
  • 防抱死制动系统(ABS)
  • 动力总成管理
  • 喷射系统
  • DC-DC 转换器和离线式不间断电源(UPS)
  • 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
  • 12V 和 24V 系统的初级开关

数据手册PDF