IRFR1N60APBF-BE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:1.4A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFR1N60APBF-BE3
- 商品编号
- C3281447
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.627克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 229pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效率开关型DC/DC转换器。
商品特性
- 低栅极电荷 Qg,驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
- 对电容、雪崩电压和电流进行了全面特性表征
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源
- 功率因数校正
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