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IXTY26P10T-TRL
1个P沟道 耐压:100V 电流:26A
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTY26P10T-TRL
- 商品编号
- C3281444
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.82nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- 国际标准封装
- 雪崩额定
- 扩展正向偏置安全工作区(FBSOA)
- 快速本征二极管
- 低RDS(ON)和 QG
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
-高端开关-推挽放大器-直流斩波器-自动测试设备-电流调节器-电池充电器应用