FDD850N10LD
N沟道 MOSFET,电流:15.3A,耐压:100V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD850N10LD
- 商品编号
- C3281432
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.436克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.465nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
RM40N40LD采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 12 A条件下,RDS(on) = 61 m Ω(典型值)
- 在VGS = 5.0 V、ID = 12 A条件下,RDS(on) = 64 m Ω(典型值)
- 低栅极电荷(典型值22.2 nC)
- 低Crss(典型值42 pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- LED显示器背光源
- LED电视背光源
- LED照明
- 消费电器、DC - DC转换器(升压和降压)