FDD6670A_NL
N沟道,电流:66A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6670A_NL
- 商品编号
- C3281306
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 66A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.755nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)、快速开关速度以及小封装下极低的RDS(ON)进行了优化。
商品特性
- 66 A、30 V,VGS = 10 V 时,RDS(ON) = 8 m Ω
- VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) = 10 m Ω
- 低栅极电荷
- 快速开关
- 高性能沟槽技术,实现极低的 \mathsfRDS(ON)
应用领域
- DC/DC转换器
- 电机驱动器