FDD6670A_NL
N沟道,电流:66A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6670A_NL
- 商品编号
- C3281306
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 66A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.755nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过专门设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低电压应用，如音频放大器、高效开关型DC/DC转换器和直流电机控制。
商品特性
- 9.4A，-100V，栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 0.29Ω
- 低栅极电荷（典型值21nC）
- 低反向传输电容（Crss）（典型值65pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-音频放大器-高效开关型DC/DC转换器-直流电机控制