FDD6N20TF
N沟道,电流:4.5A,耐压:200V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6N20TF
- 商品编号
- C3281311
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 230pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
RM80N60LD采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用场景。
商品特性
- RDS(on) = 0.6 Ω(典型值)@ VGS = 10 V, ID = 2.3 A
- 低栅极电荷(典型值4.7nC)
- 低 C\text rss(典型值6.3pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 脉宽调制（PWM）
- 负载开关