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TSM60NC390CP ROG

N沟道,电流:11A,耐压:600V

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM60NC390CP ROG
商品编号: C3281361
商品封装: TO-252(DPAK)
包装方式: 管装
商品毛重: 0.627克(g)

商品参数

商品概述

这款P沟道MOSFET采用专有PowerTrench技术制造，可实现低导通电阻rDS(on)和优化的击穿电压Bvdss能力，在应用中提供卓越的性能优势。

商品特性

超结技术
因品质因数小而具备高性能
高耐用性
高换向性能
100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
符合RoHS标准
根据IEC 61249 - 2 - 21标准无卤

应用领域

电源
照明

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	11A
	导通电阻(RDS(on))	390mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	125W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	5V
	栅极电荷量(Qg)	21nC@10V
	输入电容(Ciss)	793pF
	反向传输电容(Crss)	23pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道