ISL9N2357D3ST
N沟道,电流:35A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- ISL9N2357D3ST
- 商品编号
- C3281422
- 商品封装
- TO-252-3(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 355pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 526pF |
商品特性
- rDS(ON) = 0.006 Ω(典型值),VGS = 10 V
- 总栅极电荷Qg = 85 nC(典型值),VGS = 10 V
- 栅漏电荷Qgd = 16 nC(典型值)
- 输入电容Ciss = 5600 pF(典型值)
应用领域
-笔记本电脑-手机-其他便携式信息设备-为最新微处理器供电的高频DC-DC转换器