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DMN3024LK3-13
1个N沟道 耐压:30V 电流:14.4A
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- 描述
- 这款新一代 MOSFET 的设计旨在尽量降低导通电阻 $({\mathsf{R_{DS(on)}}})$，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3024LK3-13
- 商品编号
- C3281404
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 608pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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