NP90N055VUK-E1-AY
N沟道,电流:90A,耐压:55V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP90N055VUK-E1-AY
- 商品编号
- C3281400
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.462克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 147W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 620pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 极低的导通电阻
- 低输入电容(C\text iss ):典型值C\text iss = 4000 pF(VDS = 25 V)
- 专为汽车应用设计,符合AEC - Q101标准
应用领域
-DC-DC转换器-电源管理功能-背光照明
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