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DMNH10H028SK3-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:55A
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- 描述
- 这款新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关的特点，非常适合用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMNH10H028SK3-13
- 商品编号
- C3281402
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.245nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
UltraFET沟槽技术是一种新型先进的MOSFET技术，在实现单位硅面积最低导通电阻的同时，还能保持快速开关和低栅极电荷。降低的传导和开关损耗可延长笔记本电脑、手机和其他便携式信息设备的电池续航时间，并提高为最新微处理器供电的高频DC-DC转换器的整体效率。
商品特性
- 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
- 100%无钳位电感开关,确保终端应用更可靠、更耐用
- 低RDS(ON),可将功率损耗降至最低
- 低Qg,可将开关损耗降至最低
- 无铅涂层,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 该部件符合JEDEC标准(如AEC-Q中引用),具有高可靠性
- 符合汽车标准的部件可参考单独的数据手册(DMNH10H028SK3Q)
应用领域
-发动机管理系统-车身控制电子设备-DC-DC转换器