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DMNH6012LK3Q-13引脚图
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DMNH6012LK3Q-13

1个N沟道 耐压:60V 电流:80A

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描述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AECQ101标准,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景:发动机管理系统、车身控制电子设备、直流-直流转换器。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMNH6012LK3Q-13
商品编号
C3281403
商品封装
TO-252(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3.8W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)35.2nC@10V
输入电容(Ciss)1.926nF
反向传输电容(Crss)112pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)330pF

商品概述

这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AECQ101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景: 发动机管理系统 车身控制电子系统 DC/DC转换器

商品特性

  • 额定温度高达+175°C,适用于高环境温度环境
  • 100%非钳位电感开关,确保终端应用更可靠、更耐用
  • 低导通电阻
  • 低输入电容
  • 无铅表面处理,符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,为“绿色”器件
  • 符合AEC-Q101高可靠性标准
  • 具备PPAP能力

应用领域

-发动机管理系统-车身控制电子系统-DC/DC转换器

数据手册PDF