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DMN10H100SK3-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:18A
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- 描述
- 新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN10H100SK3-13
- 商品编号
- C3281401
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.172nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品特性
- 低RDS(ON)—— 确保导通状态损耗最小化
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-电源管理功能-直流-直流转换器