温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FQD3N60CTM
N沟道,电流:2.4A,耐压:600V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD3N60CTM
- 商品编号
- C3281325
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 565pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
这些是采用MegaFET工艺制造的N沟道逻辑电平功率MOSFET。该工艺采用接近大规模集成电路（LSI）的特征尺寸，可实现硅的最佳利用，从而带来出色的性能。它们专为与逻辑电平（5V）驱动源配合使用而设计，适用于可编程控制器、汽车开关、开关稳压器、开关转换器、电机继电器驱动器以及双极晶体管发射极开关等应用。这种性能通过特殊的栅极氧化物设计实现，该设计可在3V至5V的栅极偏置下提供全额定电导，从而便于直接从逻辑电路电源电压进行真正的通断功率控制。
商品特性
- 2.4 A、600 V,RDS(on) = 3.4 Ω(最大值)@ VGS = 10 V,ID = 1.2 A
- 低栅极电荷(典型值10.5 nC)
- 低Crss(典型值5 pF)
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 开关模式电源
- 有源功率因数校正(PFC)
- 电子灯镇流器