FDD16AN08A0_NF054
N沟道 MOSFET,电流:50A,耐压:75V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD16AN08A0_NF054
- 商品编号
- C3281351
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 135W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.874nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
FDD6676AS旨在取代同步DC-DC电源中的单个MOSFET和肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。FDD6676AS采用仙童半导体的单片式SyncFET技术，将MOSFET与肖特基二极管进行了专利性的单片集成。
商品特性
- rDS(ON) = 13 mΩ(典型值),VGS = 10 V,ID = 50 A
- Qg(tot) = 31 nC(典型值),VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具备UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
- 符合AEC Q101标准
应用领域
- 42V汽车负载控制
- 起动机/交流发电机系统
- 电子助力转向系统
- 电子气门机构系统
- 直流-直流转换器和离线式UPS
- 分布式电源架构和VRM
- 24V和48V系统的初级开关