FDD16AN08A0_NF054
N沟道 MOSFET,电流:50A,耐压:75V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD16AN08A0_NF054
- 商品编号
- C3281351
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 135W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.874nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
FDD6676AS旨在取代同步DC-DC电源中的单个MOSFET和肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。FDD6676AS采用仙童半导体的单片式SyncFET技术，将MOSFET与肖特基二极管进行了专利性的单片集成。
商品特性
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 7.1 mΩ
- 90 A、30 V，在VGS = 10 V时，RDS(ON) = 5.7 mΩ
- 集成SyncFET肖特基体二极管
- 低栅极电荷（典型值为46nC）
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 具备高功率和高电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器-笔记本电脑低端电路