FDD5810
N沟道,电流:36A,耐压:60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD5810
- 商品编号
- C3281353
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品特性
- RDS(ON) = 22 mΩ(典型值),VGS = 5 V,ID = 29 A
- Qg(5) = 13 nC(典型值),VGS = 5 V
- 低米勒电荷
- 低反向恢复电荷体二极管
- 具有非钳位感性负载开关能力(单脉冲/重复脉冲)
- 符合AEC Q101标准
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机/车身负载控制
- 防抱死制动系统
- 动力系统管理
- 喷射系统
- DC-DC转换器和离线式UPS
- 分布式电源架构和电压调节模块
- 12V和24V系统的初级开关