FQD5N20LTF
N沟道,电流:3.8A,耐压:200V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD5N20LTF
- 商品编号
- C3281326
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 3.8A、200V,VGS = 10V 时,RDS(on) = 1.2Ω
- 低栅极电荷(典型值 4.8nC)
- 低 Crss(典型值 6.0pF)
- 快速开关
- 100% 雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力
- 低电平栅极驱动要求,可直接由逻辑驱动器驱动
应用领域
- 高效开关式 DC/DC 转换器
- 开关电源
- 电机控制