FQD6P25TF
P沟道,电流:-4.7A,耐压:-250V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD6P25TF
- 商品编号
- C3281349
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
RM15P55LD采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。
商品特性
- 4.7A,-250V,RDS(on) = 1.1Ω(VGS = -10 V时)
- 低栅极电荷(典型值21 nC)
- 低Crss(典型值20 pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- DC-DC转换器