FDD6796A
1个N沟道 耐压:25V 电流:40A 电流:20A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6796A
- 商品编号
- C3281321
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 67A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.78nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 400pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低rDS(on)和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 20 A时,最大导通电阻rDS(on) = 5.7 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 15.2 A时,最大导通电阻rDS(on) = 15.0 mΩ
- 经过100% UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 台式计算机和服务器的Vcore DC - DC转换器
- 中间总线架构的VRM