FDU6644
30V N沟道MOSFET,电流:67A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDU6644
- 商品编号
- C3281201
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 67A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.087nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效率开关电源和基于半桥的电子灯镇流器。
商品特性
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 10.5 mΩ
- 67 A、30 V。在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 8.5 mΩ
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 低栅极电荷(典型值25 nC)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- DC/DC转换器