FDD6030BL
1个N沟道 耐压:30V 电流:42A 电流:10A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6030BL
- 商品编号
- C3281283
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.143nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与上一代MDmesh产品相比，DM6结合了极低的反向恢复电荷（Qrr）、反向恢复时间（trr），并显著改善了单位面积导通状态下的漏源电阻（RDS(on)），具备市场上最有效的开关性能之一，适用于对效率要求极高的桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器。
商品特性
- RDS(ON) = 22 m Ω(VGS = 4.5 V 时)
- 42 A, 30 V,RDS(ON) = 16 m Ω(VGS = 10 V 时)
- 低栅极电荷(典型值22 nC)
- 快速开关
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
应用领域
-DC/DC转换器-电机驱动器