FDD13AN06A0_NL
60V,50A,13mΩ N沟道 MOSFET
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD13AN06A0_NL
- 商品编号
- C3281293
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、功率因数校正以及基于半桥的电子灯镇流器。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 50 A条件下,RDS(on) = 11.5 mΩ(典型值)
- 在VGS = 10 V条件下,QG(tot) = 22 nC(典型值)
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具备UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
应用领域
-消费电器-LED电视-同步整流-电池保护电路-电机驱动和不间断电源