RFD16N05LSM
1个N沟道 耐压:50V 电流:16A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- RFD16N05LSM
- 商品编号
- C3281305
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.627克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 16A,50V
- rDS(ON) = 0.047欧姆
- 单脉冲UIS安全工作区(SOA)额定曲线
- 针对5V栅极驱动进行优化设计
- 可直接由CMOS、NMOS、TTL电路驱动
- 符合汽车驱动要求
- 安全工作区受功耗限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
- 多数载流子器件
应用领域
-可编程控制器-汽车开关-开关稳压器-开关转换器-电机继电器驱动器-双极晶体管发射极开关