AOI360A70
1个N沟道 耐压:700V 电流:12A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOI360A70
- 商品编号
- C3281205
- 商品封装
- TO-251A
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 138W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.36nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用创新的MDmesh技术开发，该技术将多漏极工艺与PowerMESH横向布局相结合。该器件具有极低的导通电阻、高dv/dt和出色的雪崩特性。采用专利条形技术，这款功率MOSFET的整体动态性能优于市场上的同类产品。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关电源(SMPS)的反激式电路
- 充电器、PD适配器、电视、照明设备