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AOD4S60
1个N沟道 耐压:600V 电流:4A
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- 描述
- AOD4S60、AO14S60 和 AOU4S60 采用先进的 αMOS 高压工艺制造，该工艺旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。这些器件具备低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷（Qg）和低输出电容储能（EOSS），并保证了雪崩能力，因此可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOD4S60
- 商品编号
- C3281249
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.366667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 56.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 263pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 21pF |
商品概述
- 专有α MOS5技术
- 低导通电阻RDS(ON)
- 优化开关参数，以实现更好的电磁干扰 (EMI) 性能
- 增强型体二极管，具备高耐用性和快速反向恢复能力
应用领域
- 采用功率因数校正 (PFC)、反激式和 LLC 拓扑的开关电源 (SMPS)
- 采用直流/交流逆变器拓扑的微型逆变器