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2SJ601-ZK-E1-AZ
P通道,电流:36A,耐压:60V
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- 描述
- 应用：Standard：计算机；办公设备；通信设备；测试和测量设备；视听设备；家用电子电器；机床；个人电子设备；工业机器人。High Quality：运输设备（汽车、火车、轮船等）；交通控制系统；防灾系统；防盗系统；安全设备；非专门用于生命支持的医疗设备
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SJ601-ZK-E1-AZ
- 商品编号
- C3281264
- 商品封装
- TO-252(MP-3ZK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@48V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 580pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 漏源导通电阻（RDS(on)）最大值为 14.3 mΩ（栅源电压（VGS）= 10 V，漏极电流（ID）= 26 A）
- 低输入电容（Ciss）：典型值为 1950 pF（漏源电压（VDS）= 25 V）
- 高电流：直流漏极电流（ID(DC)）= ±52A
- 符合 RoHS 标准
- 质量等级：标准
应用领域
-计算机-办公设备-通信设备-测试与测量设备-视听设备-家用电子电器-机床-个人电子设备-工业机器人-运输设备(汽车、火车、轮船等)-交通控制系统-防灾系统-防盗系统-安全设备-非专门用于生命支持的医疗设备
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