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2SJ601-ZK-E1-AZ实物图
  • 2SJ601-ZK-E1-AZ商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

2SJ601-ZK-E1-AZ

P通道,电流:36A,耐压:60V

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描述
应用：Standard：计算机；办公设备；通信设备；测试和测量设备；视听设备；家用电子电器；机床；个人电子设备；工业机器人。High Quality：运输设备（汽车、火车、轮船等）；交通控制系统；防灾系统；防盗系统；安全设备；非专门用于生命支持的医疗设备
品牌名称
RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号
2SJ601-ZK-E1-AZ
商品编号
C3281264
商品封装
TO-252(MP-3ZK)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)36A
导通电阻(RDS(on))46mΩ@4.0V
耗散功率(Pd)65W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)63nC@48V
输入电容(Ciss)3.3nF@10V
反向传输电容(Crss)230pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)580pF

数据手册PDF

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