RFD10N05SM
1个N沟道 耐压:50V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RFD10N05SM
- 商品编号
- C3281275
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AOD3N60和AOU3N60采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。这些器件具备低 RDS(on)、Ciss 和 Crss，并保证有雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。