FQD12N20TF
200V N沟道MOSFET,电流:9.0A,耐压:200V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD12N20TF
- 商品编号
- C3281281
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品特性
- 9.0A、200V,VGS = 10V时,RDS(on) = 0.28Ω
- 低栅极电荷(典型值18 nC)
- 低Crss(典型值18 pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-高效开关式DC/DC转换器-开关电源-不间断电源用DC-AC转换器-电机控制