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NP36P04SDG-E1-AY
P通道,电流:36A,耐压:40V
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- 描述
- 这是一款专为大电流开关应用设计的P沟道MOS场效应晶体管。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP36P04SDG-E1-AY
- 商品编号
- C3281261
- 商品封装
- TO-252(MP-3ZK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
商品概述
该产品是一款P沟道MOS场效应晶体管，专为大电流开关应用而设计。
商品特性
- 超低导通电阻:RDS(on) 最大值为17.0 mΩ(VGS = -10 V,ID = -18 A)
- RDS(on) 最大值为23.5 mΩ(VGS = -4.5 V,ID = -18 A)
- 低输入电容:Ciss典型值为2800 pF
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
- 无铅(该产品外部电极不含铅)
应用领域
- 汽车领域
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