IRFU9220
P沟道,电流:3.6A,耐压:200V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- IRFU9220
- 商品编号
- C3281209
- 商品封装
- TO-251AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
NP60N04VUK是一款专为大电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 3.6A,200V
- rDS(ON) = 1.500Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 单脉冲雪崩耐量(UIS)额定曲线