NP60N04VUK-E1-AY
N通道MOSFET,电流:60A,耐压:40V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP60N04VUK-E1-AY
- 商品编号
- C3281229
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 510pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于基于半桥的高效开关电源和电子镇流器。
商品特性
- 极低的导通电阻
- 低输入电容(Ciss):典型值Ciss = 2450 pF(VDS = 25 V)
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
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