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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 68pF |
商品概述
NP90N04VUK是一款专为大电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 超低导通电阻
- 最大导通电阻RDS(on) = 2.8 mΩ（VGS = 10 V，ID = 45 A）
- 低输入电容Ciss：典型值Ciss = 3900 pF（VDS = 25 V）
- 专为汽车应用设计，符合AEC-Q101标准
应用领域
- 升压转换器
- 用于消费、电信、工业电源和LED背光的同步整流器