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N0400P-ZK-E1-AY实物图
  • N0400P-ZK-E1-AY商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

N0400P-ZK-E1-AY

P通道,电流:15A,耐压:40V

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描述
N0400P是一款P沟道MOS场效应晶体管，专为大电流和2.5 V驱动开关应用而设计。
品牌名称
RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号
N0400P-ZK-E1-AY
商品编号
C3281243
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V@1000uA
栅极电荷量(Qg)16nC@32V
输入电容(Ciss)1.4nF@10V
反向传输电容(Crss)155pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

数据手册PDF

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