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RD3G01BATTL1
1个P沟道 耐压:40V 电流:15A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 快速开关速度。 驱动电路简单。 易于并联使用。 无铅电镀；符合RoHS标准。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RD3G01BATTL1
- 商品编号
- C3281232
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
该系列器件采用先进的超结技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。这款超结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源要求。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 驱动电路可简化
- 易于并联使用
- 无铅镀层;符合RoHS标准
应用领域
-开关应用