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IRFU014PBF
1个N沟道 耐压:60V 电流:7.7A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。DPAK专为使用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFU014PBF
- 商品编号
- C3281213
- 商品封装
- TO-251AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.85克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
优惠活动
购买数量
(75个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个75个/管
总价金额：
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