IRFPC42
N沟道,电流:5.9A,耐压:600V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- IRFPC42
- 商品编号
- C3281145
- 商品封装
- TO-247AC(TO-3P)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
HEXFET技术是先进功率MOSFET晶体管系列的关键。这种最新“前沿技术”设计的高效几何结构和独特工艺实现了:极低的导通电阻与高跨导相结合;卓越的反向能量和二极管恢复dv/dt能力。 HEXFET晶体管还具备MOSFET所有公认的优势,如电压控制、极快的开关速度、易于并联以及电气参数的温度稳定性。
商品特性
- 隔离式中心安装孔
- 重复雪崩额定值
- 动态dv/dt额定值
- 简单的驱动要求
- 易于并联
应用领域
- 开关电源
- 电机控制
- 逆变器
- 斩波器
- 音频放大器
- 高能脉冲电路