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STW69N65M5-4
N沟道,电流:58A,耐压:650V
- 描述
- N沟道650 V、0.037 Ohm典型值、58 A MDmesh M5功率MOSFET，TO247-4封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW69N65M5-4
- 商品编号
- C3281109
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 330W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 143nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.42nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III MOSFET非常适合各种追求小型化和更高效率的电源系统。 SUPERFET III HF版本具有快速恢复特性，可提高高速开关应用的效率。
商品特性
- 更高的VDS额定值
- 更高的dv/dt能力
- 由于额外的驱动源引脚,具有出色的开关性能
- 易于驱动
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 高效开关应用
- 服务器
- 光伏逆变器
- 电信基础设施
- 多千瓦电池充电器