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G3R20MT17K实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

G3R20MT17K

1个N沟道 耐压:1.7kV 电流:124A

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商品型号
G3R20MT17K
商品编号
C3281098
商品封装
TO-247-4​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.7kV
连续漏极电流(Id)124A
导通电阻(RDS(on))26mΩ@15V
属性参数值
耗散功率(Pd)809W
阈值电压(Vgs(th))2.7V
栅极电荷量(Qg)400nC@15V
输入电容(Ciss)10.187nF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 具备+15 V栅极驱动的G3R技术
  • RDS(ON)与温度的相关性更平缓
  • LoRing——电磁优化设计
  • 更小的RG(INT)和更低的QG
  • 低器件电容(COSS、CRSS)
  • 卓越的性价比指数
  • 强健的体二极管,具有低VF和低QRR
  • 行业领先的UIL和短路鲁棒性
  • 与商用栅极驱动器兼容
  • 在所有温度下均具有低传导损耗
  • 减少振铃现象
  • 更快、更高效的开关性能
  • 更少的开关尖峰和更低的损耗
  • 更好的功率密度和系统效率
  • 易于并联,无热失控问题
  • 卓越的鲁棒性和系统可靠性

应用领域

-电动汽车快速充电-太阳能逆变器-工业电机驱动-交通运输-工业电源-智能电网和高压直流输电-感应加热和焊接-脉冲功率

数据手册PDF